利安科技股份有限公司

VPT Components目前提供超過 100款 N 通道抗輻射強化 MOSFET，以及 50 多款具備增強型性能與封裝的產品。

所有抗輻射 MOSFET 產品均符合 MIL-PRF-19500 軍規標準規範清單（slash sheets），並可根據特定需求量身定制輻射測試，包括總離子化劑量 (TID)、低劑量率 (LDR) 及單一事件效應 (SEE)。

抗輻射 MOSFET 產品系列皆通過了單一事件效應 (SEE) 測試，涵蓋單一事件燒毀 (SEB) 與單一事件閘極破裂 (SEGR)。

我們的產品 100% 於美國製造與測試，生產基地為位於麻薩諸塞州勞倫斯市（Lawrence, MA）且經過 DLA（美國國防後勤局） 認證的設施。

包裝:TO-205AF / TO-254AA / TO-254AA TL / TO-257AA / TO-257AA TL / SMD-0.2, SMD-2
SMD-0.5, SMD-0.5 Ceramic, SMD-1, and 18-pin LCC

VPT Components的電晶體產品組合包括：NPN 與 PNP 小訊號雙載子元件；NPN 與 PNP 功率切換及四組切換（quad-switching）電晶體；矽控整流器 (SCR)；經過認證的抗輻射 NPN 與 PNP 元件；MOSFET；以及 100V 至 250V 的 JANHC 與 JANKC 裸晶 (die)。

所有雙載子電晶體產品均符合 MIL-PRF-19500 軍規標準規範清單，並依適用情況提供 JAN、JANTX、JANTXV、JANS 及 JANSR 等品質等級。

MOSFET 產品則提供 JANS 與 JANSR 等級的對應選項。電晶體的封裝選擇包含通孔式（如 TO-5, TO-39, TO-18, TO-46, TO-66, TO-78）與表面貼裝型 (SMD)（如 UA, UB 與 Flatpaks）。

我們的產品均於美國境內製造與測試，生產基地為位於麻薩諸塞州比勒利卡（Billerica）與勞倫斯市（Lawrence）的兩座 JANS 級 DLA 認證工廠。

包裝:TO-8, TO-24, TO-33, TO-46, TO-72, TO-99, TO-204AA, TO-204AE, TO-205AF, TO-206AA, TO-213AA, TO-254AA
TO-276AA (SMD-0.5), SMD-0.22, 6 & 14 Lead Flatpack, 14 Lead DIP, 20-Pin LCC

VPT Components的二極體產品組合包括：齊納電壓調節二極體（穩壓二極體）、低壓崩潰齊納二極體、溫度補償齊納參考二極體、通用切換二極體以及定電流二極體（限流二極體）。

所有二極體產品均符合 MIL-PRF-19500 軍規標準規範清單，並依適用情況提供 JAN、JANTX、JANTXV 及 JANS 等品質等級。

封裝選項包括玻璃軸向引腳類型，以及表面貼裝型（SMD），例如圓形 (UR) 與方形 (US) 端蓋的 MELF 封裝，以及陶瓷 UB 封裝。

我們的二極體產品亦提供晶粒 (Chip) 版本，品質等級涵蓋商業級以及 JANHC 與 JANKC 軍規等級。

我們的產品均於美國境內製造與測試，生產基地為位於麻薩諸塞州比勒利卡 (Billerica) 與勞倫斯市 (Lawrence) 的兩座 JANS 級 DLA 認證工廠。

包裝:UB, UB2, UB2R, UBCA, UBCC, UBD / UDB, UDAB / TO-205AF, TO-254AA, TO-257AA, TO-258AA
TO-276AA (SMD-0.5), TO-276AB (SMD-1), SMD-.22, DO-4, DO-5, DO-7, DO-34, DO-35, DO-41,
DO-213AA, DO-213AB, 10, 14, 16 & 20 Lead Flatpack, 14 & 16 Lead DIP, A-Body Leaded & US, B-Body Leaded & US