Micross 標準性能核事件偵測器（Nuclear Event Detector, NED）
Micross 標準性能核事件偵測器（NED） 相較於傳統產品，具備 2 倍的輻射劑量率靈敏度提升，並可在 低 10 倍過驅動條件下將反應時間縮短 50% 以上。產品內建差動驅動器，可有效降低 SWaP（空間、重量與功耗），同時提升抗雜訊能力並縮短延遲時間。
標準性能 NED 可依需求篩選至 XT（Extended Temperature，-55°C 至 125°C） 與 MIL-PRF-38534 Class H 等級，為近 40 年歷史的傳統 NED 解決方案提供了大幅升級的功能替代方案。
| 料號 | 靈敏度 | 偵測器延遲時間 | 篩選等級 | 氣密性 | 溫度範圍 |
| MYXRHNEDSCJ/H | 1×105 | 20ns @2x Overdrive | Class H | Hermetic | -55 to +125° C |
| MYXRHNEDSCJ/XT | 1×105 | 20ns @2x Overdrive | XT (Extended Temperature, Unqualified) | Hermetic | -55 to +125° C |
| MYXRHNEDHCJ/EM | 5×104 | 15ns @2x Overdrive | XT (Extended Temperature, Unqualified) | Non-Hermetic (Epoxy Seal) | -55 to +125° C |
概述
- Micross 標準性能核事件偵測器（NED，見圖 1）可提供一種具經濟效益的解決方案，用於偵測核事件所產生的伽瑪輻射脈衝。當過驅動比僅為 2（即接收輻射與劑量率門檻之比）時，NED 可在接收到伽瑪輻射脈衝前緣後 20ns 內輸出其脈衝與準位差動訊號。其準位輸出可透過差動輸入訊號的觸發來重置。
MYXRHNEDSCJ/X 的最低劑量率門檻為 1 × 10⁵ rads(Si)/sec，因此具備比目前市面上 NED 更高的靈敏度。使用者也可透過外接調整電阻，將劑量率門檻提高，最高可達 2 × 10⁷ rads(Si)/sec。 - 此標準性能 NED 採用 44-pin 非氣密式 J-Lead 陶瓷封裝，並具備抗輻射硬化設計，可在高伽瑪總劑量、高劑量率、中子與重離子環境下穩定運作，且具備 抗鎖定（Latch-up Immunity） 特性。這些性能是透過專為此應用設計的 Rad-Hard-By-Design ASIC 所實現。由於該 ASIC 已內建抗輻射差動線路驅動器與接收器，因此無需再針對這些功能進行額外設計考量。
優點
- 低最低劑量率靈敏度
- 極短延遲時間，可快速執行關機並降低其他電子設備損害
- 適用於戰略等級環境的抗輻射硬化設計
- 小型緊湊封裝，便於應用於高密度電路卡與電路板
- 內建差動驅動器與接收器，可節省 SWaP（空間、重量與功耗）、提升抗雜訊能力並縮短延遲時間
- 可利用輸出訊號執行電源供應器關閉、處理器離線及記憶體寫入阻斷等保護動作
特色
- 伽瑪劑量率靈敏度門檻可調範圍：1 × 10⁵ 至 2 × 10⁷ rads(Si)/sec
- 44-pin 非氣密式陶瓷 J-Lead SMT 封裝（.650in × .650in × .113in））
- 總劑量耐受能力（元件存活）：1 × 10⁶ rads(Si)
- 劑量率耐受能力（Operate Through）：1 × 10¹² rads(Si)/sec
- 中子通量耐受能力（Operate Through）：5 × 10¹³ neutrons/cm²
- 3.3V 供電需求
- 工作溫度範圍：-55°C 至 +125°C
- -55°C 至 +125°C 溫度範圍
- 內建差動線路驅動器與接收器可在無額外屏蔽下承受瞬時劑量
- 可選擇對單顆元件執行最低劑量率門檻測試
